Транзистор k6a65d чем заменить
Наименование прибора: TK6A65D
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.11 Ohm
TK6A65D Datasheet (PDF)
0.1. tk6a65d.pdf Size:199K _toshiba
TK6A65D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS VII) TK6A65D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.95 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 650 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, mA)
0.2. tk6a65d.pdf Size:253K _inchange_semiconductor
INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK6A65DITK6A65DFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.95 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
8.1. tk6a65w.pdf Size:376K _toshiba
TK6A65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK6A65WTK6A65WTK6A65WTK6A65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.85 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement
8.2. tk6a65w.pdf Size:253K _inchange_semiconductor
INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK6A65WITK6A65WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.85 (typ.)Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
Как подобрать замену для MOSFET-транзистора
Как подобрать замену для MOSFET-транзистора
Для большинства MOSFET-транзисторов достаточно просто подобрать аналоги, схожие по параметрам. Если заменить MOSFET-транзистор на такой же невозможно, то для поиска аналога необходимо:
Изучить схему включения MOSFET-транзистора для определения режима его работы (ключ в цепях коммутации, импульсное устройство, линейный стабилизатор и т.д.).
Найти даташит для неисправного MOSFET-транзистора и заполнить форму для подбора аналога на сайте.
Выбрать наиболее подходящий аналог MOSFET-транзистора, учитывая режим его работы в устройстве.
На что нужно обратить внимание
Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).
Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.
Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.
Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов
Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.
Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.
Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.
Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора
При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде.
Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой.
Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник.
Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.
Аналоги и замена зарубежных транзисторов
В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов.
Замена импортных транзисторов отечественными
| Аналоги и возможные замены | |||
| Тип | Аналог | Возможная замена | Примечания |
| MJEF34 | КТ816 | Любой мощный рпр-транзистор с максимальным током коллектора большим 3 А | |
| TIP42 | КТ816 | ||
| 2SK58 | КПС315А, Б | ||
| 2N5911 | Обычные ПТ | ||
| U441 | КП303Д, Е; КП307Г, Д; КПЗ12; КП323; КП329; КП341; КП364Д, Е | ||
| U444 | КП303Д, Е; КП307Г, Д; КП312; КП323, КП329; КП341; КП364Д, Е | ||
| MPF102 | КП303Д, Е | В этой схеме можно применить любой высокочастотный полевой транзистор с каналом ri-типа и изоляцией рп-переходом. При наладке схемы может понадобиться подобрать резисторы в цепях затворов и/или истоков. Предпочтение следует отдавать транзисторам с наибольшим и начальными токами стока, малым пороговым напряжением и уровнем шума на ВЧ | |
| MPS3866 | КТ368 | В этой схеме можно применить любой высокочастотный биполярный прп-транзистор. Предпочтение следует отдавать транзисторам с малым уровнем шума на ВЧ | |
| 25139 | КП327А,В | КП346А-9; КП382А | |
| 1N754 | КС162 | ||
| 1N757A | КС182 | ||
| 2N3563 | КТ6113; КТ375; КТ345; КТ315; КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| 2N3565 | КТ6113; КТ375; КТ345; КТ315; КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| 2N3569 | КТ6113; КТ375; КТ345; КТ315; КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| BFR90 | КТ3198А | КТ371А, КТ3190А | |
| MPS3866 | КТ939А | ||
| MRF557 | КТ948; КТ996Б-2; КТ9141; КТ9143; КТ919; КТ938 | ||
| MRF837 | КТ634; КТ640; КТ657Б-2 | ||
| MV2101 | KB102; KB107А,В | ||
| 2N4401 | КТ6103 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| ВС547В | КТ3102 | ||
| ВС549С | КТ3102 | ||
| ВС557В | KТ3107 | ||
| BD139 | КТ815 | ||
| BD140 | КТ814 | ||
| 2N5771 | КТ363АМ | ||
| ВС548 | КТ3102 | ||
| ВС557 | КТ3107 | ||
| TIP111 | КТ716 | ||
| TIP116 | КТ852 | ||
| TIP33B | КТ865 | ||
| TIP34B | КТ864 | ||
| 2SC2092 | КТ981, КТ955А, КТ9166А, КТ9120 | ||
| MRF475 | КТ981, КТ955А, КТ9166А, КТ9120 | ||
| 40673 | КП350, КП306, КП327, КП347, КП382 | ||
| 2N4124 | КТ3102Д | ||
| J309 | КП303Д, Е; КП307Г, Д; КПЗ12, КП323; КП329; КП341; КП364Д, Е | ||
| MPS2907 | КТ313 | ||
| 2N3414 | КТ645 | ||
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| 3055Т | КТ8150А | ||
| ВС517 | КТ972 | ||
| IRF9Z30 | КП944 | ||
| TIP125 | КТ853, КТ8115 | ||
| BS250P | КП944 | ||
| 2N3391A | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
| BC184L | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
| ВС547В | КТ3102 | ||
| BUZ11 | КП150 | ||
| IRFL9110 | КП944 | ||
| 2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| ВС109С | КТ342 | ||
| ВС237 | КТ3102 | ||
| ВС547 | КТЗ102, КТ645А | ||
| 2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| MPS А18 | КТ342Б, Д | ||
| 2N3704 | КТ685 | ||
| 2N4393 | КП302ГМ | ||
| 2N5401 | КТ6116А | ||
| ВС487 | КТ342Б, Д; КТ630Е | ||
| IRFZ44 | КП723А | ||
| MPS2907 | КТ313 | КТ3107 | |
| MPSА14 | КТ685 | ||
| MPSA64 | КТ973 | ||
| 2N2222 | КТ3117Б | КТ315 | |
| 2N3904 | КТ6137А | КТ815 | |
| 2N3906 | КТ6136А | ||
| ECG-187 | ГТ906А | ||
| FPT-100 | фототранзистор | ||
| HRF-511 | КП904 | ||
| TIL 414 | фототранзистор | ||
Поиск транзистора для замены на сайте alltransistors.com
Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors.com:
Ниже приведен пример поиска замены для транзистора NTE53.
Максимальные параметры транзистора из даташита:
Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE53:
После отправки формы было получено 15 результатов:
| Type | Struct | Uce | Ueb | Ic | Ft | Hfe | Caps |
| 2SC3224 | NPN | 30 | 120 | TO3 | |||
| 2SD1287 | NPN | 30 | 300 | TO3 | |||
| 2SD434 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD435 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD436 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD815 | NPN | 30 | 300 | TO3A1 | |||
| 2T7067A | NPN | 20 | TO3 | ||||
| 2T7067B | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET10015 | NPN | 50 | TO3 | ||||
| ET10016 | NPN | 50 | TO3 | ||||
| ET10020 | NPN | 60 | TO3 | ||||
| ET10021 | NPN | 60 | TO3 | ||||
| ET6060 | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET6061 | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET6062 | NPN | 20 | TO3 |
В зависимости о того в каком устройстве используется транзистор NTE53, нужно пересмотреть даташиты на все найденные транзисторы для замены и выбрать подходящий по быстродействию (если это параметр критичен там где будет использоваться транзистор).
TK6A65D, TO-220SIS
Информация для заказа
Номенклатурный номер 2010030911
Цена зависит от количества. Укажите требуемое количество и вам будут предложены лучшие цены и условия поставки.
Цены указаны с НДС, наличие указано на 09.12.2021 07:01
Поиск документации на TK6A65D
Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации. Для получения актуализированной информации отправьте запрос на адрес techno.ru
Посмотреть еще
Нужна помощь в выборе продукции или подборе аналога?
Обратитесь к нашему консультанту webmaster@platan.ru
Указано наличие на складе. Цены даны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар по фиксированной цене забронирован на 3 рабочих дня.
Оплатить товар можно:
Мы работаем с разными грузовыми компаниями:
Забрать заказ можно в наших офисах:
Платан проводит строгую политику в области качества поставляемой продукции: