Транзистор к2645 чем заменить

Наименование прибора: 2SK2645

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 70 ns

Выходная емкость (Cd): 150 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

2SK2645 Datasheet (PDF)

N-channel MOS-FET2SK2645-01MRFAP-IIS Series 600V 1,2 9A 50W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteris

0.2. 2sk2645.pdf Size:224K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2645FEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSHigh speed SwitchingRepetitive Avalanche ratedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDC-DC converter,Switching Regulators,General PurposePower AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

N-channel MOS-FET2SK2649-01RFAP-IIS Series 800V 1,5 9A 100W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteris

FUJI POWER MOSFET2SK2647-01MRN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline DrawingsFAP-2S SeriesTO-220FFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratingsEquivalent circuit schematic

FUJI POWER MOSFET2SK2648-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline DrawingsFAP-2S SeriesTO-3PFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratingsEquivalent circuit schematic(Tc=

FUJI POWER MOSFET2SK2646-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline DrawingsFAP-2S SeriesTO-220ABFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratingsEquivalent circuit schematic(

N-channel MOS-FET2SK2640-01MRFAP-IIS Series 500V 0,9 10A 50W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteri

2SK2642-01MR FUJI POWER MOS-FETN-CHANNEL SILICON POWER MOS-FETTO-220F15FeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGS=35V GuaranteeAvalanche-proof2.54Applications3. SourceSwitching regulatorsUPS DC-DC convertersEquivalent circuit schematicGeneral purpose power amplifierDrain(D)Maximum ratings and char

FUJI POWER MOSFET2SK2643-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline DrawingsFAP-2S SeriesTO-3PFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratingsEquivalent circuit schematic(Tc=

FUJI POWER MOSFET2SK2641-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline DrawingsFAP-2S SeriesTO-3PFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratingsEquivalent circuit schematic(Tc=

Источник

Транзистор к2645 чем заменить

Наименование прибора: 2SK2645-01MR

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 70 ns

Выходная емкость (Cd): 150 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm

Тип корпуса: TO220F15

2SK2645-01MR Datasheet (PDF)

7.2. 2sk2645.pdf Size:224K _inchange_semiconductor

Источник

Транзистор к2645 чем заменить

добавлю сразу на мосфеты серии АРМ****нужно обращать пристальное внимание

G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК
мосфеты повсеместно используються как силовые транзисторы импульсных и линейных устройств стабилизаторов, регулирующие и переключающие устройства
в этой теме попробуем наглядно обьяснить
как проверить мосфет
как заменить и чем заменить
а так-же собрать минимум информации о аналогах и критичной замене, если получиться то и более

Смотрим даташиты, и в некоторых видим нормированное RDS(ON) при различных VGS (ON).

Материнская плата Gigabyte S775 P35 FSB1333
полевики NTMFS4744N меняются на HAT2165H, замена корректна

Можно, если транзисторы одинаковые и из одной партии, в схемотехнике компьютеров нередко это используется, как в линейных так и в импульсных источниках.
Следует однако учесть, что в таких случаях транзисторы обычно находятся на одном теплоотводе, и максимально приближены к друг другу, для наименьшего влияния сопротивления и индуктивности проводников.

Спасибо, просто вариантов быстро купить небыло, пришлось импровизировать, уже стоят родные

Проверка битых полевых транзисторов,нашёл видео-http://www.youtube.com/watch?v=x5oG6XOVBKs
На халяву попала видюха(GIGABYT GV-N98TGR-512I),залитая молоком,после промывки и проверки,греются Q521(4744N),Q522,Q545(4835N)-питающие память и сам проц греется. эх не повезло,думал рабочаяя.

Скорее всего так и было. только ГП греется не цензурно сильно,он крякнул.

Я профи ремонтом не занимаюсь,друг б/у торгует,вот и чиню что могу,но полевик у другой видюхи я вычичлил как на видео,поставил со старой видеокар.,но наверное драйвер(GP5201BQ,если правильно прочитал,видно плохо) не фурычит, а может он и спалил этот полевик(090H03L),поменял на APM 2512N(с другой видюхи),не стартует мамка.Только опыт в карман положу,а видюхю в коробку .

JMCJ писал:

Я профи ремонтом не занимаюсь. поменял на APM 2512N

Оно и видно. Лучше вам вообще забросить это дело, и заняться чем-то попроще

Красота. А чё тогда не КТ315А туда поставить? Вместо 80А STripFET™ III Power MOSFET? Вот после таких вот *лять ко мне и приходят ужаренные ноуты и видеокарты, с жуками вместо smd фузов, пробитыми в дыру полевиками и ковырянные 25Вт паяльником 12ти слойные платы.

Читайте также: Формат indd чем открыть

Ещё вопрос на засыпку,звонятся на коротко D и S в мосфетах на этой видюхе FORCE 30 HD 4830, I же в схеме идёт через ГПу по питанию,значит должно быть сопротивление,а тестер пищит(я полевики не выпаивал),значит пробит(прогорел) канал?Или в схеме так и должно,хотя два из них(9шт) не пищит тестер..Я думаю что им усё уже.

Сообщение Администрации :

Удалено

Видеокарта Sapphire FLEX HD 7950 3GB GDDR5

Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе

павлик 22 писал:

Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе

мне надо найти аналог

Что на них написано?

я бы к 1му посту добавил еще, что быстродействие играет роль (динамические характеристики). «медленный» транзистор будет греться пр работе в ШИМ-преобразователе, даже если у него низкое сопротивление открытого перехода; такой прибор может быть предназначен для работы в статичном режиме (в цепи зарядки, например)

Прошу помощи в поиске аналога,вылетели парой IXTQ22N60P.Стоят в блоке питания в 42 плазме.Даташит в нете есть,а вот с подборкой туго.Может кто сталкивался?

стоят в батарейном источнике питания какой то мед приблуды.

IRL3705NS STB80NF55L-08T4 Полный аналог

ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:31

LR024 N STD12NF06LT4 Полный аналог

ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:32

FR9024N STD10PF06T4 Полный аналог

Элемент U19. Маркировка:
J B-
DEQ34
фото микрухи:

Заранее Всем спасибо за содействие![/b]

Глупый вопрос наверное, но если вместо mosfeta на 100V 10A я поставил 600V 5A, он через себя сможет прокачивать только 5 или 10 ампер?

Здравствуйте, подскажите пожалуйста, будет ли корректная замена мосфета PH7030L на PSMN7R0-30YL, стоит в цепи питания видеокарты

Mordoc, А здеся шо, открытая консультация по мосфетам? Для этого есть собственный раздел по даташитам, см. внимательно титульный лист форума.

Элемент U19. Маркировка:
J B-
DEQ34
фото микрухи:

Код SMD: JB-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9166-25PXL
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/jb

Код SMD: B3-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9169-14PX
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/b3

Это RT9166 SOT-89 2.5V 0.3A Ultra-Fast Transient Response LDO Regulator

Всем привет!
На видяхе NVIDIA GeForce 9800 GT, PCI-E 2.0, 550 МГц, 1024 Мб GDDR3 1600 МГц 256 бит сгорели (пробило на проч кз на всех выводах) 2шт- M3004D из 6шт все находятся в районе разъёмов vga,подскажите чем можно заменить или нужны только точно такие?

Добрый день подскажите аналог транзистора 70r900pek6450ygp.

Мать GIGABYTE GA-8I945GZME-RH
Аналогичная ситуация,после неправильного подключения кнопки питания
На картинке оставшиеся заглавные буквы

Так что-же это?!
Транзистор на плате 9435 P-канальный полевик, или N-канальный P3057G QHE11
Заранее благодарю за ответ.

musik,
если исток на корпусе то наверняка N ch
если исток на какой либо линии+ питания то P ch
а может то вообще стаб

исток обычно справа снизу если читать надпись

Я сослепу вместо «m/b ws» посадил «power led» и получил то что получил,но после правильной установки концов все равно все работало еще дня три,потом кнопка включения перестала реагировать но и при этом я путем легкого шевеления остатков обгоревшего транзистора запускал ПК
Но и это тоже дня через два закончилосью

Помогите определить что это и каковы его функции

Ну кто нибудь может подсказать что это за транзистор

Всех с новым годом.
Помогите пожалуйста подобрать аналог вышедшему из строя мосфету с маркировкой A5 GNE 601V06
Буду благодарен всем кто откликнется.

ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:23

Помогите найти аналог транзисторов

ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:24

чем заменить 9412bgm

Источник

Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2SK2645-01MR.

Высказывания:
Доставка на грузовике, обычно требующая одного дня, займет 5 дней, если вы ждете именно этот грузовик.

Основные параметры полевого n-канального транзистора 2SK2645-01MR

Тип канала: n-канал
Структура (технология): MOSFET

Pd max, мВт	Uds max, В	Udg max, В	Ugs max, В	Id max, мА	Tj max, °C	Fr (T on/of)	Ciss tip, пФ	Rds, Ом
50000	600	±30	9000	-55+150	(Ton:40nS/Toff:90nS)	1400	1.2

Производитель: Fuji electric
Сфера применения:
Популярность: 2598
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SK2645-01MR

Общий вид транзистора 2SK2645-01MR.	Цоколевка транзистора 2SK2645-01MR.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SK2645-01MR.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник

Транзистор к2645 чем заменить

Наименование производителя: 2SD2645

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

2SD2645 Datasheet (PDF)

0.1. 2sd2645.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6897A2SD2645NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SD2645Color TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V).2174A High reliability(Adoption of HVP process).[2SD2645] Adoption of MBIT process.5.63.416.0 On-chip damper diode.3.12.82.

0.2. 2sd2645.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2645DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

8.1. 2sd2648.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN69232SD2648NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SD2648Color TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeatures Package Dimensions High speed. unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process).[2SD2648] Adoption of MBIT process.5.63.416.03.12.82.0 2.10.90.71 2 31 : Bas

8.2. 2sd2646.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN69222SD2646NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SD2646Color TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeatures Package Dimensions High speed. unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process).[2SD2646] Adoption of MBIT process.5.63.416.03.12.82.0 2.10.90.71 2 31 : Bas

8.3. 2sd2649.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6679A2SD2649NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SD2649Color TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeatures Package Dimensions High speed. unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process).[2SD2649] Adoption of MBIT process. 5.63.416.03.12.82.0 2.10.90.71 2 31 : Bas

8.4. 2sd2643.pdf Size:27K _sanken-ele

CEquivalent circuitBDarlington 2SD2643(70)ESilicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1687)Application : Audio, Series Regulator and General Purpose(Ta=25C) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics External Dimensions FM100(TO3PF)Symbol Ratings Unit Symbol Conditions Ratings Unit0.20.2 5.515.60.23.45VCBO

8.5. 2sd2641.pdf Size:28K _sanken-ele

Equivalent circuitCBDarlington 2SD2641(70)ESilicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1685)Application : Audio, Series Regulator and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions MT-100(TO3P)RatingsSymbol Ratings Symbol Conditions UnitUnit0.24.80.415.6100max AVCB

8.6. 2sd2642.pdf Size:28K _sanken-ele

CEquivalent circuitBDarlington 2SD2642(70)ESilicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1687) Application : Audio, Series Regulator and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions FM20(TO220F)Symbol Ratings Symbol Conditions Ratings UnitUnit0.24.20.210.1c0.5VCBO 110 ICB

8.7. 2sd2642.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2642DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 110V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 5000( Min.) @(I = 5A, V = 4V)FE C CELow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max)@ (I = 5A, I = 5mA)CE(sat) C BComplement to Type 2SB1687Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable op

Источник