Блок питания 0-30v на tl081cp
Как понимать эту фразу, он испаряется?:smile: 36 вольт в плюс и 5 в минус, это режим выше предельного. Не мудрено, что усилитель не выдержит такого. Проверку и настройку ограничения тока необходимо делать на меньших нагрузках. А пока проверяйте все детали так как они соединены гальванически, выйти из строя может всё что угодно. Для безопасности при настройке включите между трансформатором и диодным мостом автомобильную лампу накаливания на 24 вольта 40-60 ватт.
Я сам только что собрал такой БП, работает нормально. Для наладки подайте 12В переменное напряжение, ни в коем случае уже выпрямленое от другова БП! С етим ОУ и выпрямит. диоды нельзя дотянуть до заявленые параметры по напряжение и ток.
Добавлено через 58 минут(ы) :
вопрос, как стабилизировать питания и/или чем заменить tl081cp?
Кое что по этой схеме можно посмотреть здесь.
Почитайте и я думаю что некоторые вопросы для вас прояснятся
http://www.radioingener.ru/laborator. t-ot-0002-3-a/
Я такой собрал двухканальный, уже лет пять как 081 на грани работают, полет нормальный. :super:
Хотя ОУ и выбраны с максимальным напряжением питания 36 В, но они довольно-таки нормально работают. В схеме имеется источник отрицательного напряжения и благодаря этому входное напряжение ограничено на уровне 31В (36-5=31).
У меня два таких БП. Оба успешно работают второй год. При изготовлении я в них кое что изменил. А именно:
В диодном мостике заменил диоды на диоды Шоттки. Падение напряжения на них меньше, чем на обычных диодах, и они меньше греются. Я поставил SR540.
Теперь о шунтовом резисторе – на нем падает около 1,5 В которые можно добавить в нагрузку. Для этого следует установить вместо него два резистора по 0,27 Ом впаралель (это ещё и улучшит стабильность).
Так как напряжение на шунте у нас теперь другое то необходимо будет добавить резистор 3,9…4,7К параллельно крайним контактам разъёма, к которому подключается резистор регулировки тока.
Регуляторы тока и напряжения я заменил на многооборотники. Регулировка стала более плавной.
Есть смысл сделать замену конденсатора фильтра 3300,0 на более качественный и ёмкий (CapХon к примеру) ёмкостью 10000,0 х50В.
На переднюю панель установил вот такие индикаторы
Вложение 279047
переделка китайского блока питания
Давным давно, приобрел я с рук сие чудо. Блок питания с регулировкой тока и напряжения. до 5 ампер и до 30 вольт.
Примерно через пол года блок навернулся, и стал выдавать на выходе максимум, что может. Разборка показала следующие конструктивные недоработки.
1- в роли регулирующего элемента применялись 2 транзистора включенных в параллель, без выравнивающих сопротивлений.
2- сами транзисторы крепились к радиатору через толстые слюдяные прокладки без термопасты.
3- радиатор представлял из себя алюминиевую пластину толщиной всего 2 мм, без отверстий стоявшую поперек
корпуса, тем самым полностью перекрывающую сквозное вентилирование и охлаждение компонентов.
Собственно это и привело к перегреву одного транзистора и его пробою. В тот момент мне блок нужен был срочно, поэтому я просто выкинул пробитый транзистор, а радиатор заменил на компьютерный. Думал, что на первое время так сойдет а потом переделаю.
через 5 лет наступило это самое «потом». Я попытался зарядить автомобильный аккумулятор, и бедолага транзистор не вывез максимального тока больше 20 минут. Было решено сделать максимально «круто». Вместо родных транзисторов я решил поставить N3055 в железных корпусах, т.к. они обладали повышенной мощностью.
В роли радиатора я применил массивную медную пластину, толщиной 4 мм. В пластине были два больших отверстия, а сама пластина была меньше по размеру, чем поперечное сечение корпуса, и не препятствовала циркуляции воздуха.
Транзисторы на радиатор крепились без изолирующей прокладки, а только на термопасте, что способствовало лучшему охлаждению. Нужно лишь было изолировать сам радиатор от корпуса. На этот же радиатор разместил диодный мост на 20 ампер, вместо старого пятиамперного, и пара выравнивающих резисторов по 0.1ом.
Токоизмерительный резистор на 0.1 ом был заменен на два параллельно включенных по 0.2 ома, для меньшего нагрева.
Как же я сочувствую тем, кто сам собирает высококачественные усилители звука. Ведь именно на этих транзисторах они делают выходные каскады. Как же сложно им найти качественный оригинал, транзисторы настолько популярны, что их штампуют все, кому не лень.
Опять еду в магазин, покупаю транзисторы, что стояли изначально. D1047. Радиатор решил переделать, взял медный, с толщиной основания 6 мм, и тонкими, частыми ребрами.
Транзистор D1047 (2SD1047)
D1047 — кремниевый, со структурой NPN, планарный транзистор, выполненный по технологии тройной диффузии. Конструктивное исполнение – различные варианты корпуса типа TO-3P.
Предназначение
Транзистор предназначен для мощных выходных каскадов усилителей звуковой частоты и преобразователей напряжения постоянного тока.
Корпус, цоколевка и монтажные размеры
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс=25°C.
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 160 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 140 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 6 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 12 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICP | 15 |
| Рассеиваемая мощность, Вт | PC | 100 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 |
Электрические характеристики
Данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс=25°C.
٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы O и Y в пределах указанного диапазона.
٭٭ — параметры сняты в импульсном режиме: схема для измерения параметров представлена ниже.
Схема для измерения параметров времени переключения
Модификации и группы транзистора D1047
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE ٭ | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | |
| 2SD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| 2SD1047 C | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 140 | ||
| 2SD1047 P | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| CSD1047 F (O, Y) | 90 | 160 | 160 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| KSD1047 (O, Y) | 80 | 160 | 140 | 6 | 8 | 150 | 15 | 210 | ||
| KTD1047 (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| KTD1047 B (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| PMD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 |
٭ — производителями почти во всех модификациях выделяются группы (O, Y) или (D, E) по поддиапазонам величин hFE.
| Обозначение транзистора в группе | 2SD1047 O | 2SD1047 Y | 2SD1047 D | 2SD1047 E |
|---|---|---|---|---|
| Диапазон величины hFE | 60…120 | 100…200 | 60…120 | 100…200 |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения и преобразователях напряжения в аппаратуре общего назначения.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| КТ892А/Б | 175 | 350 | 350 | 5 | 15 | 150 | — | — | 300 | TO-3 |
| КТ897Б | 125 | 200 | 200 | 5 | 20 | — | 10 | — | 400 | TO-3 |
| КТ898А/Б | 125 | 350 | — | 5 | 20 | 200 | 10 | — | 400 | TO-218 |
| КТ8101А/Б | 150 | 200 | — | 6 | 16 | 150 | 10 | 1000 | 20 | TO-218 |
| КТ8107А | 100 | 1500 | 700 | 5 | 8 | 150 | 7 | — | 2…8 | TO-3 |
| КТ8114А/Б | 125 | 1500 | — | 5 | 8 | 150 | — | — | 8 | TO-3 |
| КТ8117А | 100 | 700 | 600 | 5 | 10 | 150 | 4 | — | 10 | TO-3 |
| КТ8150А | 115 | 70 | 60 | 7 | 15 | 150 | 4 | — | 20 | TO-3 |
| КТ8158Б | 125 | 100 | 100 | 5 | 12 | 150 | 4 | — | 1000 | TO-3 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| 2SC5669 | 140 | 250 | 230 | 6 | 15 | 150 | 15 | 200 | 60 | TO-3PN |
| 2SD1975A | 150 | 200 | 200 | 5 | 15 | 150 | 20 | 200 | 60 | TO-3PL |
| 2SD2489 | 130 | 200 | 200 | 5 | 15 | 150 | 70 | 120 | 5000 | TO-3PN |
| BU941B | 155 | — | 350 | 5 | 15 | 175 | — | — | 300 | TO-3P |
| MJL3281A | 200 | 200 | 200 | 7 | 15 | 150 | 30 | 600 | 75 | TO-3PBL, TO-264 |
| MJL4281A | 230 | 350 | 350 | 5 | 15 | 150 | 35 | 600 | 80 | TO-3PBL, TO-264 |
| NJW0302 | 150 | 250 | 250 | 5 | 15 | 150 | 30 | 400 | 60 | TO-3P |
| NJW1302 | 200 | 200 | 250 | 5 | 15 | 150 | 30 | 600 | 60 | TO-3P |
| 2SC4059 | 130 | 600 | 450 | 7 | 15 | 175 | 20 | — | 60 | TO-247 |
| 2SC4108N | 100 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | 20 | 160 | — | TO-247 |
| ET359 | 100 | 300 | 200 | — | 80 | 175 | — | — | 80 | TO-247 |
| IDD1314 | 150 | 450 | — | — | 15 | 150 | — | — | 100 | TO-247 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC / IB = 10.
Рис. 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 5. Зависимость ширины полосы пропускания (частоты среза fT) от коллекторной нагрузки транзистора IC.
Характеристика снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 6. Изменение выходной емкости Cob транзистора при увеличении напряжения на коллекторном переходе UCB.
Характеристика снята при частоте f = 1 МГц.
Рис. 7. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.
Рис. 8. Область безопасной работы (ОБР) транзистора.
В области больших токов ОБР транзистора ограничена импульсным или постоянным значением тока коллектора ICMAX (Pulse) или ICMAX (DC), определяемыми устойчивостью к нагреву монтажных соединений внутри транзистора или критическим снижением коэффициента усиления.
В области больших напряжений ОБР ограничена предельным напряжением коллектор-эмиттер UCEMAX, при котором развивается лавинообразный пробой п/п структуры.
Между этими двумя ограничениями безопасная работа определяется общим тепловым режимом структуры и перегревами локальных участков, способствующими возникновению вторичных тепловых пробоев.
D1047 замена на более мощный
Выбор, ремонт, проектирование и изготовление усилителей, акустических систем, аудиоаппаратуры.
Лучшие эксперты в этом разделе
| Коцюрбенко Алексей Владимирович Статус: Модератор Рейтинг: 1097 | Лысков Игорь Витальевич Статус: Старший модератор Рейтинг: 120 |